導入 4F² 架構的 DDR5 記憶體顆粒
【反超 2 年 😱】外媒報導，中國長鑫存儲總裁曹侃鈺博士日前在上海舉行的第四屆積體晶片與芯粒大會（Integrated Chip and Chiplet Conference）上透露，該公司預計於 2026 年底前正式推出基於全新「4F²」記憶體單元架構的 DDR5 RDIMM 伺服器記憶體產品。若進度如期實現，長鑫存儲將比記憶體龍頭 Samsung 原定 2028 年導入 4F² 架構的規劃提前近兩年，引發全球半導體業界高度關注。
據《Wccftech》報導，長鑫存儲研發 4F² 架構技術已有數年基礎，早在 2021 年便已發表相關學術論文。傳統 DRAM 多採用 6F² 單元架構，隨著微縮製程逼近物理極限，進一步縮小單元面積的難度劇增。
4F² 製程技術主要將記憶體單元內的單顆電晶體與電容器由傳統的「水平排列」改為「垂直堆疊」，使單一記憶體單元的表面佔位縮小為正方形（邊長為特徵尺寸的兩倍），並精確配置 2 條位元線（Bitline）與 2 條字元線（Wordline）。在相同特徵尺寸下，4F² 能將單元面積大幅縮減約 33%，讓晶片整體的單元密度顯著提升 30% 至 50%，成為邁向真 3D DRAM 時代的關鍵過渡技術。
中國長鑫存儲首款 4F² 產品，預計將以其最新 15nm G5 製程為基礎進行部分衍生實作。該製程已導入自對準四重圖案化（SAQP）技術，以繞過先進微影曝光設備的限制，隨後亦規劃銜接至 G6 節點。
此外，為克服微縮過程中嚴重的漏電瓶頸，長鑫存儲亦全面採用高介電常數金屬閘極（HKMG）技術，以氧化鉿等新型絕緣材料取代傳統多晶矽氧化層。這項變更不僅有效抑制漏電流與廢熱產生，更能大幅最佳化能源效率，並使電晶體狀態切換速度大幅加快。中國長鑫存儲目前已將 HKMG 技術導入其 G4 製程（相當於 1z 節點）及 LPDDR5X 產品線中。
相較長鑫存儲的高調宣示，業界三大巨頭中的三星電子則將 4F² 技術列入其次 10nm（Sub-10nm）世代的 B1b 製程（官方已重新命名為 D0a 節點），預計於 2028 年量產。
除了技術架構推進，中國長鑫存儲在產能擴充上亦動作頻頻。目前中國長鑫存儲旗下擁有三座 12 吋（300mm）晶圓廠，單廠月產能約 10 萬片，預計 2026 年底總月產能將攀升至 30 萬片晶圓，並具備每月約 5 萬片的高頻寬記憶體（HBM）產能。
與此同時，長鑫存儲正在上海與合肥興建兩座新晶圓廠，整體投產後總月產能預計將擴大至 60 萬片晶圓。依目前擴產藍圖推估，長鑫存儲的 DRAM 總產能極可能在 2030 年超越全球第三大廠美光（Micron），持續改寫全球記憶體市場的競爭版圖。
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